新型介電常數(shù)介質(zhì)損耗測(cè)試儀，介電常數(shù)測(cè)試儀

新型介電常數(shù)介質(zhì)損耗測(cè)試儀，介電常數(shù)測(cè)試儀滿(mǎn)足標(biāo)準(zhǔn)：GBT 1409-2006測(cè)量電氣絕緣材料在工頻、音頻、高頻（包括米波波長(zhǎng)在內(nèi)）下電容率和介質(zhì)損耗因數(shù)的推薦方法
一、介電常數(shù)介質(zhì)損耗試驗(yàn)儀概述

GDAT高頻 Q 表作為一代的通用、多用途、多量程的阻抗測(cè)試儀器，測(cè)試頻率上限達(dá)到目前高的160MHz。
GDAT高頻 Q 表采用了多項(xiàng)技術(shù)：

雙掃描技術(shù) - 測(cè)試頻率和調(diào)諧電容的雙掃描、自動(dòng)調(diào)諧搜索功能。
雙測(cè)試要素輸入 - 測(cè)試頻率及調(diào)諧電容值皆可通過(guò)數(shù)字按鍵輸入。
雙數(shù)碼化調(diào)諧 - 數(shù)碼化頻率調(diào)諧，數(shù)碼化電容調(diào)諧。
自動(dòng)化測(cè)量技術(shù) -對(duì)測(cè)試件實(shí)施 Q 值、諧振點(diǎn)頻率和電容的自動(dòng)測(cè)量。
全參數(shù)液晶顯示 – 數(shù)字顯示主調(diào)電容、電感、 Q 值、信號(hào)源頻率、諧振指針。
DDS 數(shù)字直接合成的信號(hào)源 -確保信源的高葆真，頻率的高精確、幅度的高穩(wěn)定。

計(jì)算機(jī)自動(dòng)修正技術(shù)和測(cè)試回路*化 —使測(cè)試回路 殘余電感減至zui低， Q 讀數(shù)值在不同頻率時(shí)要加以修正的困惑。

gdat高頻Q表的創(chuàng)新設(shè)計(jì)，無(wú)疑為高頻元器件的阻抗測(cè)量提供了*的解決方案，它給從事高頻電子設(shè)計(jì)的工程師、科研人員、高校實(shí)驗(yàn)室和電子制造業(yè)提供了更為方便的檢測(cè)工具，測(cè)量值更為精確，測(cè)量效率更高。使用者能在儀器給出的任何頻率、任意點(diǎn)調(diào)諧電容值下檢測(cè)器件的品質(zhì)，無(wú)須關(guān)注量程和換算單位。

一、介電常數(shù)介質(zhì)損耗試驗(yàn)儀概述
介質(zhì)損耗和介電常數(shù)是各種電瓷、裝置瓷、電容器等陶瓷，還有復(fù)合材料等的一項(xiàng)重要的物理性質(zhì)，通過(guò)測(cè)定介質(zhì)損耗角正切tanδ及介電常數(shù)（ε），可進(jìn)一步了解影響介質(zhì)損耗和介電常數(shù)的各種因素，為提高材料的性能提供依據(jù)；儀器的基本原理是采用高頻諧振法，并提供了，通用、多用途、多量程的阻抗測(cè)試。

它以單片計(jì)算機(jī)作為儀器的控制，測(cè)量核心采用了頻率數(shù)字鎖定，標(biāo)準(zhǔn)頻率測(cè)試點(diǎn)自動(dòng)設(shè)定，諧振點(diǎn)自動(dòng)搜索，Q值量程自動(dòng)轉(zhuǎn)換，數(shù)值顯示等新技術(shù)，改進(jìn)了調(diào)諧回路，使得調(diào)諧測(cè)試回路的殘余電感減至zui低，并保留了原Q表中自動(dòng)穩(wěn)幅等技術(shù)，使得新儀器在使用時(shí)更為方便，測(cè)量值更為精確。

儀器能在較高的測(cè)試頻率條件下，測(cè)量高頻電感或諧振回路的Q值，電感器的電感量和分布電容量，電容器的電容量和損耗角正切值，電工材料的高頻介質(zhì)損耗，高頻回路有效并聯(lián)及串聯(lián)電阻，傳輸線(xiàn)的特性阻抗等。
該儀器用于科研機(jī)關(guān)、學(xué)校、工廠(chǎng)等單位對(duì)無(wú)機(jī)非金屬新材料性能的應(yīng)用研究。
 
主要技術(shù)特性 
Q 值測(cè)量范圍  2 ～ 1023 ， 量程分檔： 30 、 100 、 300 、 1000 ，自動(dòng)換檔或手動(dòng)換檔 
固有誤差  ≤ 5 ％ ± 滿(mǎn)度值的 2 ％（ 200kHz ～ 10MHz ）， ≤6％ ± 滿(mǎn)度值的2％（10MHz～160MHz） 
工作誤差  ≤7％ ± 滿(mǎn)度值的2％ （ 200kHz ～ 10MHz ）， ≤8％ ± 滿(mǎn)度值的2％（10MHz～160MHz） 
電感測(cè)量范圍  4.5nH ～ 140mH 
電容直接測(cè)量范圍  1 ～ 200pF 
主電容調(diào)節(jié)范圍  18 ～ 220pF 
主電容調(diào)節(jié)準(zhǔn)確度  100pF 以下 ± 1pF ； 100pF 以上 ± 1 ％ 
信號(hào)源頻率覆蓋范圍  100kHz ～ 160MHz 
頻率分段 （ 虛擬 ）  100 ～ 999.999kHz ， 1 ～ 9.99999MHz,10 ～ 99.9999MHz ， 100 ～ 160MHz 
頻率指示誤差  3 × 10 -5 ± 1 個(gè)字 

搭配了全新的介質(zhì)損耗裝置與GDAT系列q表搭配使用
一 . 概述

BD916介質(zhì)損耗測(cè)試裝置與本公司生產(chǎn)的各款高頻Q表配套，可用于測(cè)量絕緣材料的介電常數(shù)和介質(zhì)損耗系數(shù)（損耗角正切值）。
BD916介質(zhì)損耗測(cè)試裝置是BD916914的換代產(chǎn)品，它采用了數(shù)顯微測(cè)量裝置，因而讀數(shù)方便，數(shù)據(jù)精確。
測(cè)試裝置由一個(gè)LCD數(shù)字顯示微測(cè)量裝置和一對(duì)間距可調(diào)的平板電容器極片組成。
平板電容器極片用于夾持被測(cè)材料樣品，微測(cè)量裝置則顯示被測(cè)材料樣品的厚度。
BD916介質(zhì)損耗測(cè)試裝置須配用Q表作為調(diào)諧指示儀器，通過(guò)被測(cè)材料樣品放進(jìn)平板電容器和不放進(jìn)樣品時(shí)的Q值變化，測(cè)得絕緣材料的損耗角正切值。
從平板電容器平板間距的讀值變化則可換算得到絕緣材料介電常數(shù)。

BD916介質(zhì)損耗測(cè)試裝置技術(shù)特性

平板電容器： 極片尺寸：Φ50mm/Φ38mm 可選 　　　　　
極片間距可調(diào)范圍：≥15mm
2. 夾具插頭間距：25mm±0.01mm
3. 夾具損耗正切值≤4×10-4 （1MHz）
4．測(cè)微桿分辨率：0.001mm
 
電感：
 
線(xiàn)圈號(hào)    測(cè)試頻率    Q值    分布電容p       電感值 
  9         100KHz      98       9.4           25mH
  8         400KHz     138       11.4        4.87mH
  7         400KHz    202       16           0.99mH
  6           1MHz     196       13          252μH
  5           2MHz     198       8.7        49.8μH
  4         4.5MHz    231       7             10μH
  3          12MHz      193     6.9         2.49μH
  2          12MHz      229     6.4        0.508μH
            
  1   25MHz，50MHz   233，211    0.9       0.125μH

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